A Quasi-Two-Dimensional Model for High-Power RF LDMOS Transistors

机译：大功率RF LDMOS晶体管的准二维模型

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作者
Everett, JP; Kearney, MJ; Rueda, H; Johnson, EM; Aaen, PH; Wood, J; Snowden, CM;
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年度 2011
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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1. A Quasi-Two-Dimensional Model for High-Power RF LDMOS Transistors [J] . Everett J. P., Kearney M. J., Rueda H., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第9期

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2. A Nonlinear Electro-Thermal Scalable Model for High-Power RF LDMOS Transistors [J] . Wood J., Aaen P. H., Bridges D., Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on . 2009,第2期

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